參數(shù)資料
型號： APT75GT120JU2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 608K
代理商： APT75GT120JU2
APT75GT120JU2
A
PT
75G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
W
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
W
9.5
mJ
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PDF描述
APT75GT120JU3 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JU3 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT77N60BC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT77N60SC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT77N60JC3 77 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APT75GT120JU3 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT77H60J 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET
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