型號: | APT75GT120JU3 |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOTOP-4 |
文件頁數: | 6/7頁 |
文件大?。?/td> | 608K |
代理商: | APT75GT120JU3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT77N60BC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT77N60SC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT77N60JC3 | 77 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT8011JFLL | 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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APT75M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT75M50B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT75M50L | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT77H60J | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET |
APT77N60BC6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |