參數(shù)資料
型號(hào)： APT8024LVFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： APT8024LVFR
Advanced Power
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp.
POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement
BVDSS
30V
▼ Fast Switching Characteristic
RDS(ON)
4mΩ
▼ Low On-resistance
ID
20A
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Units
VDS
V
VGS
V
ID@TA=25℃
A
ID@TA=70℃
A
IDM
A
PD@TA=25℃
W
W/℃
TSTG
℃
TJ
℃
Symbol
Value
Unit
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
3
50
℃
/W
Data and specifications subject to change without notice
200806053
1
AP4430GEM
RoHS-compliant Product
Parameter
Rating
Drain-Source Voltage
30
Gate-Source Voltage
±12
Continuous Drain Current
3
20
Continuous Drain Current
3
16
Pulsed Drain Current
1
80
Total Power Dissipation
2.5
-55 to 150
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
Linear Derating Factor
0.02
Thermal Data
Parameter
Storage Temperature Range
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer
with the best combination of fast switching,ruggedized device
design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
S
G
D
SO-8
S
G
D
The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8024B2VFR 33 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8028JVR 28 A, 800 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8028JVR 28 A, 800 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT802R8KN 4.4 A, 800 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT802R4KN 4.7 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT8024LVFRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
APT8024LVR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:POWER MOS V 800V 33A 0.240 Ohm
APT8024LVRG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8028JVR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT802R4AN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-3
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