參數資料
型號: APT8075BN-BUTT
元件分類: JFETs
英文描述: 13 A, 800 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 155K
代理商: APT8075BN-BUTT
相關PDF資料
PDF描述
APT7590BN-GULLWING 12 A, 750 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT75GN60SDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GN60BDQ2G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT75GN60SDQ2G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GN60BDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關代理商/技術參數
參數描述
APT8075BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD
APT8075BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFR_05 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8075BVR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247