參數(shù)資料
型號： APTCV40H60CT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： APTCV40H60CT1G
APTCV40H60CT1G
APT
C
V50H60CT
1
G
–
Rev
0
Novem
b
er
,2007
www.microsemi.com
1- 10
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Q3
34
12
NTC
CR3
CR1
10
Q4
6
8
2
9
1
Q1
11
Q2
7
5
Top switches : Trench + Field Stop IGBT
Bottom switches : CoolMOS
Pins 3/4 must be shorted together
Trench & Field Stop
IGBT Q1, Q3:
VCES = 600V ; IC = 50A @ Tc = 80°C
CoolMOS Q2, Q4:
VDSS = 600V ; ID = 36A @ Tc = 25°C
Application
Solar converter
Features
Q2, Q4 CoolMOS
- Ultra low RDSon
- Low Miller capacitance
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
- Very rugged
- Fast intrinsic diode
Q1, Q3 Trench & Field Stop IGBT
- Low voltage drop
- Switching frequency up to 20 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
SiC Schottky Diode (CR1, CR3)
-
Zero reverse recovery
-
Zero forward recovery
-
Temperature Independent switching behavior
-
Positive temperature coefficient on VF
Very low stray inductance
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Full - Bridge
CoolMOS & Trench + Field Stop
IGBT
Power module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTCV50H60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTCV50H60T3G 功能描述:IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV60HM45BC20T3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV60HM45BT3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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