參數(shù)資料
型號(hào): APTCV60TLM991G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-32
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商: APTCV60TLM991G
APTCV60TLM991G
APT
C
V60T
LM
991G
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
3- 8
Q2 & Q3 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 400A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Q2 & Q3 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1600
Coes
Output Capacitance
110
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
50
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=30A
VCE=300V
0.3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
60
ns
Tj = 25°C
0.16
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.3
mJ
Tj = 25°C
0.7
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
Tj = 150°C
1.05
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
150
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.6
°C/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTD1608CGCK 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封裝 / 箱體:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng)/色溫:631 nm 透鏡顏色/類型:Water Clear 正向電流:30 mA 正向電壓:2 V 光強(qiáng)度:54 mcd 顯示角:130 deg 系列:VLMx1500 封裝:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無(wú)色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形,帶圓頂,0.70mm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.65V 電流 - 測(cè)試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長(zhǎng) - 主:570nm 波長(zhǎng) - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長(zhǎng) x 0.80mm 寬 高度(最大值):1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTD1608LQBC/D 功能描述:LED BLUE CLEAR SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 顏色:藍(lán)色 透鏡顏色:無(wú)色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):20mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形,帶圓頂,0.70mm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.65V 電流 - 測(cè)試:2mA 視角:40° 安裝類型:表面貼裝 波長(zhǎng) - 主:465nm 波長(zhǎng) - 峰值:460nm 特性:- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長(zhǎng) x 0.80mm 寬 高度(最大值):1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1