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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF100SK120T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF100SK120T |
APTGF100SK120T
A
PT
G
F100S
K
L
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
80
160
240
320
400
0246
8
Ic
,
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
01
23
4
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rre
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rre
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
itte
rV
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 100A
TJ = 25°C
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10111213141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
cto
rto
E
m
itte
rV
o
lt
ag
e(V
)
T
J = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rB
re
ak
d
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(N
o
rma
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF100SK120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X120E2 | 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X120P2 | 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X120P2G | 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X120P2 | 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF100SK120TG | 功能描述:IGBT 1200V 135A 568W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF10X120E2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF10X120E2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF10X120P2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF10X120P2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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