參數(shù)資料
型號： APTGF150A120T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 198K
代理商： APTGF150A120T3AG
APTGF150A120T3AG
APT
G
F150A120T
3AG
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
1 – 5
29
13
30 31
32
R1
23
22
28
25
27
26
7
8
3
4
18
16
20
19
14
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
Pins 29/30/31/32 must be shorted together
Pins 26/27/28/22/23/25 must be shorted together
to achieve a phase leg
Pins 16/18/19/20 must be shorted together
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
210
IC
Continuous Collector Current
TC = 100°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
300
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1041
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
300A @ 1150V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 50 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
Kelvin emitter for easy drive
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
AlN substrate for improved thermal performance
Benefits
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Phase leg
NPT IGBT Power Module
Power Module
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 100°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150A120T3WG 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150A120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150A120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DH120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150A120T3AMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150A120TG 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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