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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF15X120P2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-17 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | APTGF15X120P2 |
APTGF15X120E2
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APT website – http://www.advancedpower.com
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Package outline
Pin out: APTGF15X120P2 (Short pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF15X120E2G | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120E2 | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X120T3G | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X60BTP2 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF15X60RTP2 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF15X120P2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF15X120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF15X60BTP2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF15X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF15X60RTP2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
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