參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF30H60T3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 321K
代理商： APTGF30H60T3
APTGF30H60T3
A
P
T
G
F
30
H
60T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
1020304050
C
,C
a
p
a
c
ita
n
c
e(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lIm
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
280
0
102030
4050
IC, Collector Current (A)
F
ma
x,
Op
er
at
in
g
F
re
q
u
e
n
c
y(
kH
z)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 6.8
TJ = 125°C
TC= 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF30H60T3 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330A60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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