參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF330SK60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： APTGF330SK60D3G
APTGF330SK60D3G
APT
G
F330SK60D3G
–
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
00.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
200
400
600
800
012345
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
0
200
400
600
800
IC (A)
E
(mJ)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 8
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
50
0
10
203040
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 400A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=8
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lImpe
da
n
c
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DDA120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T1G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF350A60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350DA60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF350DU60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60G 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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