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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF50DSK60T3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 320K |
| 代理商： | APTGF50DSK60T3 |
APTGF50DSK60T3
A
P
T
G
F
50
D
S
K
60
T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
01234
Ic
,C
o
llect
o
r
C
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
345
67
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
255075
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
llec
to
r
to
E
m
it
te
rB
rea
kd
o
w
n
Vo
lt
ag
e
(
N
o
rma
liz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
50
100
150
0123
4
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50DSK60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T1G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50SK120T1G | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50SK120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50SK120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF50DSK60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF50DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF50DU120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF50H120CT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF50H120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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