參數資料
型號： APTGF50DSK60T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁數： 2/6頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： APTGF50DSK60T3
APTGF50DSK60T3
A
P
T
G
F
50
D
S
K
60
T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 500A
600
V
Tj = 25°C
1
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1
mA
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2200
Coes
Output Capacitance
323
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
200
pF
Qg
Total gate Charge
166
Qge
Gate – Emitter Charge
20
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 50A
100
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
40
Tr
Rise Time
9
Td(off)
Turn-off Delay Time
120
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7
12
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
42
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
21
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
0.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 2.7
1
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 70°C
60
A
IF = 60A
1.6
1.8
IF = 120A
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.4
V
Tj = 25°C
130
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
170
ns
Tj = 25°C
220
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
920
nC
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