參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF75DA60D1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 169K
代理商： APTGF75DA60D1
APTGF75DA60D1
A
PT
G
F7
5D
A
60
D
1
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
100
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
187
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
355
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
Tj = 125°C
150A@520V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
6
7
5
4
3
2
1
VCES = 600V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Non Punch Through (NPT) fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Boost Chopper
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF75DA60D1G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DH120T3G 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75H120TG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DA60CT1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DA60T1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF75DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 100A 355W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF75DDA120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF75DDA120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF75DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF75DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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