參數(shù)資料
型號： APTGF90DU60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙共源不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： APTGF90DU60T
APTGF90DU60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
C
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
0
200
400
600
800
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
I
C
, Collector Current (A)
F
V
CE
= 400V
D = 50%
R
G
= 5
T
J
= 125°C
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APTGF90H60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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