參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90SK60D1
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 169K
代理商： APTGF90SK60D1
APTGF90SK60D1
A
PT
G
F9
0S
K
60
D
1
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 500A
600
V
Tj = 25°C
1
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1
mA
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
4300
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
400
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 2.2
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
Tr
Rise Time
11
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
30
ns
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 2.2
2.9
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
ER
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 300V
di/dt =800A/s
Tj = 125°C
3.2
mJ
Tj = 25°C
7.7
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 100A
VR = 300V
di/dt =800A/s Tj = 125°C
13
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
IGBT
0.28
RthJC
Junction to Case
Diode
0.50
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90SK60T3AG 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGL180A120T3AG 230 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGL325DA120D3G IGBT
APTGL475A120D3G IGBT
APTGL475SK120D3G IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T1G 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90SK60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg NPT IGBT Power Module
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