參數(shù)資料
型號(hào)： APTGL180A120T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 230 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： APTGL180A120T3AG
APTGL180A120T3AG
A
P
TGL180A120T
3A
G
–
Re
v2
M
arc
h,
2011
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
300
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 150A
Tj = 150°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 5.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
200
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9.3
Coes
Output Capacitance
0.58
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.5
nF
QG
Gate charge
VGE= -8V / 15V ; VCE=600V
IC=150A
0.85
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
20
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 150A
RG = 3Ω
45
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
35
Td(off)
Turn-off Delay Time
350
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 150A
RG = 3Ω
80
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
TJ = 150°C
13.5
mJ
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 150A
RG = 3Ω
TJ = 150°C
14.5
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤10s ; Tj = 150°C
600
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
120
A
IF = 120A
2.5
3
IF = 240A
3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 120A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
265
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
350
ns
Tj = 25°C
1120
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 120A
VR = 800V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
5780
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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