參數(shù)資料
型號(hào)： APTGL60TL120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： APTGL60TL120T3G
APTGL60TL120T3G
APT
G
L
60T
L
120T
3G
–
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
3- 6
CR1 to CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
1.6
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.2
°C/W
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
Ω
R25/R25
5
%
B25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
B/B
TC=100°C
4
%
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100A120T3AG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A170D1G 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100A60T3AG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGL700DA120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGL700SK120D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3
APTGL700U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 910A 3000W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGL700U120D4G_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Single switch Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGL875U120DAG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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