參數資料
型號： APTGT150H170
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 全-橋戴場站IGBT功率模塊
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： APTGT150H170
APTGT150H170
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 3mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
350
2.4
6.5
600
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 4.7
Min
Typ
13.5
0.55
0.44
370
40
650
180
400
50
800
300
48
47
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
150
1.8
1.9
385
490
40
64
Max
350
600
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
A
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 150A
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 150A
V
R
= 900V
di/dt =1600A/μs
μC
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PDF描述
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參數描述
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