參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150SK120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-7
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 179K
代理商： APTGT150SK120D1G
APTGT150SK120D1G
APTG
T150SK120
D1G
–
Rev
2
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
4- 4
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
23
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
01
23
4
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
50
4
8
12
16
20
24
28
32
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=4.7
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rma
lImpe
d
a
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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