參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150TL60G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： APTGT150TL60G
APTGT150TL60G
APT
G
T
150T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2
009
www.microsemi.com
3- 7
CR1 to CR4 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
350
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
4.7
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
9.9
C
Tj = 25°C
1.1
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 300V
di/dt =2000A/s
Tj = 150°C
2.4
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.77
°C/W
CR5 & CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
350
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
150
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
130
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
225
ns
Tj = 25°C
6.9
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
14.5
C
Tj = 25°C
1.6
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 150A
VR = 300V
di/dt =3000A/s
Tj = 150°C
3.5
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.52
°C/W
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
To heatsink
M6
3
5
Torque Mounting torque
For terminals
M5
2
3.5
N.m
Wt
Package Weight
280
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150X120E3G 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150X120TE3 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A170D3 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150X120E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3 PHASE BRIDGE TRENCH + FIELD STOP IGBT POWER MODULE 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT200A120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A120G 功能描述:POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*