參數(shù)資料
型號： APTGT200A60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 相腳戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGT200A60T
APTGT200A60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC
(see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
=
B
exp
85
/
25
Min
Typ
50
3952
Max
Unit
k
K
T
T
R
R
T
1
1
25
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
1.5
Typ
Max
0.24
0.4
175
125
100
4.7
160
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
(dimensions in mm)
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DH120 Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DU120 Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DU60T Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H120 Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H60 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A60TG 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200DA120DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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