參數(shù)資料
型號(hào): APTGT30TL60T3G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 211K
代理商: APTGT30TL60T3G
APTC60DDAM35T3
AP
T
C
60
DDAM
35
T
3–
R
ev
1
J
un
e,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S,
D
rai
n
t
o
S
o
u
rce
B
reakd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(
N
o
rm
a
li
ze
d
)
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50 -25 0
25 50 75 100 125 150
T
J, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
),
D
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o
S
o
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O
N
resi
st
an
ce
(N
or
m
a
li
ze
d)
VGS=10V
ID= 72A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thr
e
s
h
o
ld
V
o
lt
a
g
e
(N
or
m
a
li
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
DC line
10 ms
1 ms
100 s
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
102030
4050
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(
p
F
)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
600
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
t
o
S
o
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=72A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B