參數(shù)資料
型號： APTGT50SK170T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 279K
代理商： APTGT50SK170T
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Circuit
4
AP2322GN
0
2
4
6
8
10
12
0
4
8
12
16
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =2.2A
V DS =8V
V DS =12V
V DS =16V
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 360℃/W
t
T
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
1ms
10ms
100ms
1s
DC
T A =25
o C
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
01
23
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =5V
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PDF描述
APTGT50SK170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT50TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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