參數(shù)資料
型號： APTGT75A120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 相腳快速戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGT75A120T
APTGT75A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
1.7
2.0
5.8
Max
500
2.1
6.5
400
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 4.7
Min
Typ
5345
280
240
280
40
450
75
290
45
550
90
7
8
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1200
Typ
75
1.6
1.6
170
280
7
14
Max
250
500
2.1
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1200V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
A
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 75A
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 75A
V
R
= 600V
di/dt =2000A/μs
μC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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