參數(shù)資料
型號： APTGT75DH120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 非對稱-橋快速戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： APTGT75DH120T
APTGT75DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
I
C
(
Output Characteristics
V
GE
=15V
V
GE
=13V
V
GE
=17V
V
GE
=9V
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
I
C
T
J
= 125°C
Transfert Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
12
I
C
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
I
C
(A)
E
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.7
T
J
= 125°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Gate Resistance (ohms)
E
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
400
800
V
CE
(V)
1200
1600
I
C
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DSK60T3 Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
ARF1500 ER 3C 3#16 PIN RECP WALL
ARF1501 ER 3C 3#16S SKT RECP
ARF1502 ER 2C 2#16S PIN RECP
AS2524T Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75DH120T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3
APTGT75DH120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DH60T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT75DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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