參數資料
型號： APTGU30DH120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： APTGU30DH120T
APTGU30DH120T
A
PT
G
U
30
D
H
12
0T
–
R
ev
1
Ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 250A
1200
V
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
2500
A
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 125°C
3
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
3
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
3320
Coes
Output Capacitance
260
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
50
pF
Qg
Total gate Charge
155
Qge
Gate – Emitter Charge
20
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 30A
70
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
94
Tf
Fall Time
53
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
1000
Eon2
Turn-on Switching Energy
1740
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 30A
RG = 5
907
J
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
147
Tf
Fall Time
100
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
1000
Eon2
Turn-on Switching Energy
2842
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 30A
RG = 5
2325
J
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 40°C
60
A
IF = 60A
2.5
IF = 120A
2.7
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 150°C
2
V
Tj = 25°C
70
trr
Reverse Recovery Time
IF = 60A
VR = 650V
di/dt =480A/s Tj = 100°C
130
ns
Tj = 25°C
630
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 650V
di/dt =480A/s Tj = 100°C
1820
C
Eon2 includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
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PDF描述
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