參數(shù)資料
型號(hào)： APTGV100H60BTPG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商： APTGV100H60BTPG
APTGV100H60BTPG
A
P
TG
V100H
60
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
15 - 15
9.2 Chopper diode typical performance curves
T
J=25°C
T
J=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Fo
rw
ar
d
C
u
rr
en
t
(A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rmal
Im
p
eda
nc
e
(°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV25H120BG 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
AS-27.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
AS-4.194304-S-FUND-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4.194304 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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