參數(shù)資料
型號(hào)： APTGV30H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 368K
代理商： APTGV30H60T3G
APTGV30H60T3G
A
P
TG
V
30H
60T3G
–Re
v
0
J
une
,20
07
www.microsemi.com
8-9
VGE = 15V
10
20
30
40
50
0
1020
3040
5060
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td(on),
Turn-On
D
elay
Time
(ns
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
25
50
75
100
125
0
10
20
30
40
50
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td(
o
ff),
Tur
n-O
ff
De
lay
Ti
m
e
(ns
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
0
102030
405060
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
is
eTim
e(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
0
102030
40506070
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,
Fa
ll
Time
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 6.8
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.25
0.5
0.75
1
0
10
20304050
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Turn-On
Energy
Los
s(mJ)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
0
10
2030
4050
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
off
,Turn-off
Energy
Loss
(mJ)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 6.8
Eon, 30A
Eoff, 30A
0
0.25
0.5
0.75
1
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
chi
ng
Energy
Los
ses
(m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
500
600
I C
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A18FTG 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100A46FT1G 19 A, 1000 V, 0.552 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BT3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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