參數(shù)資料
型號(hào)： APTM100H45SCT
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： APTM100H45SCT
APTM20AM10FT
A
P
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M
20A
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10F
T
–
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2
J
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2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 – 6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
BV
DS
S,
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)
Breakdown Voltage vs Temperature
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
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D
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O
N
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(N
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m
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d)
VGS=10V
ID= 87.5A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thr
e
s
hol
d
V
o
lt
a
g
e
(N
or
m
a
li
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
DC line
10ms
1ms
100s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
limited by
RDSon
Single pulse
TJ=150°C
Ciss
Crss
Coss
100
1000
10000
100000
0
1020304050
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(
p
F
)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=40V
VDS=100V
VDS=160V
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
200
250
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
to
S
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u
rc
e
V
o
lt
a
g
e(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=150A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTM100H45SCT 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100SK18T 43 A, 1000 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100SK18T 43 A, 1000 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100SKM90 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTM100SKM90 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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