參數(shù)資料
型號： APTM100H45SCT
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： APTM100H45SCT
APTM20AM10FT
A
P
T
M
20A
M
10F
T
–
R
ev
2
J
ul
y,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 – 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
9V
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
2
345
6789
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Dr
a
in
Cu
rr
e
n
t
(A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
0
40
80
120
160
200
240
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)
D
ra
in
t
o
S
o
u
rce
O
N
R
esi
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 87.5A
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,
D
C
Dr
a
in
Cu
rr
e
n
t(
A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
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PDF描述
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