參數(shù)資料
型號： AS192-300
廠商： Alpha Industries, Inc.
英文描述： PHEMT GaAs IC High Power SP4T Switch 0.1-2.5 GHz
中文描述： PHEMT的砷化鎵集成電路大功率SP4T開關(guān)0.1-2.5千兆赫
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 53K
代理商： AS192-300
PHEMT GaAs IC High Power SP4T Switch 0.1–2.5 GHz
AS192-000
2
Skyworks Solutions, Inc.
[978] 241-7000
Fax
[978] 241-7906
Email
sales@skyworksinc.com
www.skyworksinc.com
Specifications subject to change without notice. 10/02A
ANT
V
1
J
1
J
2
V
2
V
3
J
3
J
4
V
4
Pin Out
Typical Performance Data
Notes:
DC blocking caps required on RF lines for positive voltage operation
bond pad metalization: gold
backside metalization: none
bond pad dimensions: 0.003 (0.075 mm) x 0.003 (0.075 mm)
See application note, Handling GaAs MMIC Die.
Characteristic
Value
RF Input Power
4 W > 0.5 GHz
0/+6 V Control
Control Voltage
+6 V
Operating Temperature
-40°C to +85°C
Storage Temperature
-65°C to +150°C
Absolute Maximum Ratings
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
L
Frequency (GHz)
Typical Insertion Loss vs. Frequency
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
Frequency (GHz)
Typical VSWR
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
Frequency (GHz)
Typical Isolation vs. Frequency
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
V
1
V
2
V
3
V
4
Ant-J
1
Ins. Loss
Ant-J
2
Isolation
Ant-J
3
Isolation
Ant-J
4
Isolation
V
High
V
Low
V
Low
V
Low
V
Low
V
High
V
Low
V
Low
V
Low
V
Low
V
High
V
Low
V
Low
V
Low
V
Low
V
High
Isolation
Ins. Loss
Isolation
Isolation
Isolation
Isolation
Ins. Loss
Isolation
Isolation
Isolation
Isolation
Ins. Loss
Truth Table
V
Low
= 0.
V
High
= 4.5 to 5.0 V for RF power > 30 dBm.
V
High
= 3.0 to 5.0 V for RF power 20–30 dBm.
V
High
= 2.7 to 5.0 V for RF power < 20 dBm.
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