參數(shù)資料
型號(hào)： AS29F200B-90TC
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
中文描述： 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 15/20頁(yè)
文件大?。?/td> 375K
代理商： AS29F200B-90TC
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Addresses
CE
OE
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Data
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2Ah
5555h
t
AH
5555h
2Ah
Sector address
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WC
t
AS
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GHWL
AAh
55h
80h
AAh
55h
30h
10h for Chip Erase
t
WP
t
CS
t
WPH
t
DH
t
DS
t
WC
CE
RY/BY
RESET
t
RP
t
READY
CE
WE
RY/BY
Rising edge of last WE signal
Program/erase
operation
tri-stated open-drain
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PDF描述
AS29F200B-90TI 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120SC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120SI 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120TC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120TI 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
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參數(shù)描述
AS29F200B-90TI 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
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