參數(shù)資料
型號(hào)： AS29F200T-120SI
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
中文描述： 128K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝： 0.600 INCH, SO-44
文件頁(yè)數(shù)： 16/20頁(yè)
文件大小： 375K
代理商： AS29F200T-120SI
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Parameter
Sector erase and verify-1 time (excludes 00h programming prior to erase)
Word programming time
Byte program time
Chip programming time
Erase/program cycles
Limits
Typical
1.6
60
60
7.5
-
Unit
sec
μs
μs
sec
cycles
Min
Max
-
-
-
-
10,000
-
-
-
-
-
CE
OE
WE
DQ7
t
CH
t
OH
t
WHWH1 or 2
t
OE
t
OEH
t
CE
t
DF
High Z
Input DQ7
Output DQ7
Output
CE
WE
OE
DQ6
t
OEH
t
DH
t
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS29F200T-120TC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120TI 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-55SC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-55SI 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-55TC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
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參數(shù)描述
AS29F200T-120TC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F200T-120TI 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
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