參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C4M4F1Q-50TC
英文描述： DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC
中文描述： 內(nèi)存|快速頁面| 4MX4 |的CMOS | SOJ | 28腳|塑料
文件頁數(shù)： 1/19頁
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代理商： AS4C4M4F1Q-50TC
16 Me
g FPM DRAM
AS4C4M4
Austin Semiconductor, Inc.
4M x 4 CMOS DRAM
WITH FAST PAGE MODE, 5 VOLT
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
1
AS4C4M4
Rev. 1.0 5/03
AVAILABLE AS MILITARY
SPECIFICATIONS
MIL-STD-883
FEATURES
Fast Page Mode Operation
CAS\-before-RAS\ Refresh Capability
RAS\-only and Hidden Refresh Capability
Self-refresh Capability
Fast Parallel Test Mode Capability
TTL Compatible Inputs and Outputs
Early Write or Output Enable Controlled Write
JEDEC Standard Pinout
Single +5V (±10%) Power Supply
OPTIONS
Timing
60nsaccess
70nsaccess
MARKINGS
-6
-7
Package
Plastic TSOP, 24-pin
DG
Operating Temperature Ranges
Military (-55
o
C to +125
o
C)
Industrial (-40
o
C to +85
o
C)
XT
IT
GENERAL DESCRIPTION
The Austin Semiconductor, Inc. AS4C4M4DG is a
4,194,304 x 4 bit Fast Page Mode CMOS DRAM offering
high speed random access of memory cells within the same
row. This device features a +5V (±10%) power supply,
refresh cycle (2K), and fast access times (60 and 70ns). Other
features include CAS\-before-RAS\, RAS\-only refresh, and
Hidden refresh capabilities. This 4M x 4 Fast Page Mode DRAM
is fabricated using an advanced CMOS process to realize high
bandwidth, low power consumption and high reliability. It may
be used as main memory for high level computers,
microcomputers and personal computers.
PIN ASSIGNMENT
(Top View)
24 Pin TSOP (DG)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Vss
DQ3
DQ2
CAS\
OE\
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
Vcc
DQ0
DQ1
W\
RAS\
NC
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
PIN
FUNCTION
Address Inputs
A0 - A10
DQ0 -DQ3
Data In/Out
V
SS
RAS\
Ground
Row Address Strobe
CAS\
Column Address Strobe
W\
Read/Write Input
OE\
Data Output Enable
V
CC
NC
Power (+5V)
No Connect
PIN ASSIGNMENT
For more products and information
please visit our web site at
www.austinsemiconductor.com
PERFORMANCE RANGE
SPEED
t
RAC
-6
60
-7
70
t
CAC
15
18
t
RC
110
130
t
PC
40
45
UNITS
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C4M4F1Q-60JC x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1Q-60TC DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
AS4C4M4F1-50JI x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1-50TC x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1-50TI x4 Fast Page Mode DRAM
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AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
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