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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E5-50JI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 6的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 7/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5-50JI |
AS4LC1M16E5
4/11/01
Alliance Semiconductor
7
Hyper page mode cycle
Shaded areas indicate advance information.
Output enable
Shaded areas indicate advance information.
Self refresh cycle
Shaded areas indicate advance information.
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
CPWD
t
CPA
t
RASP
t
DOH
t
REZ
t
WEZ
t
OEZ
t
HPC
t
HPRWC
t
RHCP
CAS precharge to WE delay time
45
–
52
–
ns
Access time from CAS precharge
–
28
–
35
ns
16
RAS pulse width
50
100K
60
100K
ns
Previous data hold time from CAS
5
–
5
–
ns
Output buffer turn off delay from RAS
0
13
0
15
ns
Output buffer turn off delay from WE
0
13
0
15
ns
Output buffer turn off delay from OE
0
13
0
15
ns
Hyper page mode cycle time
20
–
25
–
ns
Hyper page mode RMW cycle
47
–
56
–
ns
RAS hold time from CAS
30
–
35
–
ns
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
OFF
CAS to output in Low Z
0
–
0
–
ns
11
RAS hold time referenced to OE
8
–
10
–
ns
OE access time
–
13
–
15
ns
OE to data delay
13
–
15
–
ns
Output buffer turnoff delay from OE
0
13
0
15
ns
11
OE command hold time
10
–
10
–
ns
OE to output in Low Z
0
–
0
–
ns
Output buffer turn-off time
0
13
0
15
ns
11,13
Std Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RASS
RAS pulse width
(CBR self refresh)
100
–
100
–
μs
t
RPS
RAS precharge time
(CBR self refresh)
90
–
105
–
ns
t
CHS
CAS
hold time
(CBR self refresh)
8
–
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| AS4LC1M16E5-60TC | 制造商:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
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