參數(shù)資料
型號(hào): AS7C3512-20JC
英文描述: x8 SRAM
中文描述: x8的SRAM
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 835K
代理商: AS7C3512-20JC
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PDF描述
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參數(shù)描述
AS7C351232-10BIN 功能描述:90BALL TFBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16Mb (512K x 32) 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):10ns 訪問(wèn)時(shí)間:10ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:240
AS7C351232-10BINTR 功能描述:90BALL TFBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16Mb (512K x 32) 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):10ns 訪問(wèn)時(shí)間:10ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS7C3513B-10JCN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512K 3.3V 10ns FAST 32K x 16 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS7C3513B-10JCNTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512K 3.3V 10ns FAST 32K x 16 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS7C3513B-10TCNTR 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述:AS7C3513B Series 512-kbit (32 K x 16) 3.3 V 10 ns CMOS Static RAM - TSOP 11-44