參數(shù)資料
型號(hào): AT-32011
英文描述: Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述: 低電流,高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù): 10/10頁(yè)
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代理商: AT-32011
4-62
Ordering Information
Part Number
AT-32011-BLK
AT-32011-TR1
AT-32033-BLK
AT-32033-TR1
Increment
100
3000
100
3000
Comments
Bulk
7" Reel
Bulk
7" Reel
Package Dimensions
SOT-143 Plastic Package
SOT-23 Plastic Package
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
2.65 (0.104)
2.10 (0.083)
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1.02 (0.040)
0.89 (0.035)
2.04 (0.080)
1.78 (0.070)
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)
0.152 (0.006)
0.066 (0.003)
0.69 (0.027)
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3.06 (0.120)
2.80 (0.110)
1.02 (0.041)
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XXX
PACKAGE
MARKING
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C
B
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PDF描述
AT-32011-BLK Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32011-TR1 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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參數(shù)描述
AT-32011-BLK 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32011-BLKG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32011-TR1 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-32011-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32011-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel