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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT-32032 |
| 英文描述： | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor(小電流，高性能NPN硅雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 低電流，高性能NPN硅雙極型晶體管（小電流，高性能npn型硅雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | AT-32032 |
6
AT-32032 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter,
Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 5 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.484
-70
18.65
8.559
0.75
0.344
-88
16.04
6.339
1.0
0.257
-103
13.98
5.000
1.5
0.165
-130
10.90
3.509
2.0
0.124
-160
8.76
2.740
3.0
0.112
143
5.93
1.979
4.0
0.144
100
4.19
1.620
5.0
0.209
72
3.01
1.414
6.0
0.296
57
2.14
1.279
7.0
0.394
43
1.43
1.179
8.0
0.489
28
0.70
1.084
9.0
0.564
10
-0.12
0.986
10.0
0.627
-9
-1.05
0.886
S
12
Mag
0.053
0.069
0.085
0.118
0.153
0.232
0.320
0.419
0.526
0.636
0.725
0.778
0.786
S
22
Ang
113
98
87
70
57
33
13
-7
-25
-43
-61
-78
-94
dB
-25.51
-23.25
-21.46
-18.59
-16.29
-12.69
-9.89
-7.55
-5.58
-3.94
-2.79
-2.18
-2.10
Ang
62
61
61
60
57
48
37
24
Mag
0.680
0.602
0.561
0.522
0.502
0.477
0.454
0.418
0.353
0.275
0.270
0.355
0.455
Ang
-26
-28
-29
-33
-39
-55
-73
-95
-124
-166
137
91
58
8
-10
-30
-50
-71
Figure 11. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 5 mA.
Note: dB( |S
21
| = 20*log( |S
21
|
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 5 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.23
0.295
0.31
0.35
0.41
0.47
0.54
Ang
71
138
152
-173
-142
-114
-93
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.9
1.2
1.2
1.3
1.5
1.7
1.9
7.5
5.1
4.6
4.1
5.8
11.0
20.0
15.6
11.5
10.4
9.1
8.2
7.4
6.7
Γ
opt
gmax
dB(S[2,1])
k
0
25
15
20
5
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.25
0.75
1
0.25
0.5
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
( k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| AT-32032-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-32032-TR2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-323 |
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