參數(shù)資料
型號： AT-32033-TR1
英文描述： Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述： 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： AT-32033-TR1
4-59
AT-32011 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
V
CE
= 2.7 V, I
C
= 20 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.52
-49
31.08
35.79
0.5
0.36
-138
22.96
14.06
0.9
0.34
-168
18.33
8.25
1.0
0.34
-174
17.46
7.47
1.5
0.34
165
14.13
5.09
1.8
0.34
155
12.61
4.27
2.0
0.35
148
11.74
3.86
2.4
0.36
136
10.23
3.25
3.0
0.39
120
8.38
2.62
4.0
0.45
98
6.00
2.00
5.0
0.52
82
4.25
1.63
S
12
Mag
0.013
0.036
0.055
0.060
0.086
0.101
0.111
0.132
0.161
0.207
0.253
S
22
Ang
149
102
86
83
71
64
60
52
40
23
7
dB
-37.78
-28.93
-25.15
-24.41
-21.35
-19.92
-19.08
-17.60
-15.86
-13.68
-11.93
Ang
72
62
64
64
63
61
60
57
51
42
32
Mag
0.83
0.40
0.31
0.30
0.28
0.28
0.27
0.27
0.26
0.24
0.23
Ang
-22
-42
-42
-42
-45
-49
-52
-58
-67
-84
-106
AT-32011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C
= 20 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
1.39
0.9
1.51
1.8
1.78
2.4
1.96
R
n
–
0.16
0.13
0.12
0.13
Mag
0.15
0.14
0.28
0.40
Ang
65
105
-164
-142
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MAG
S21
MSG
MSG
Figure 21. AT-32011 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 2.7 V, I
C
= 20 mA.
AT-32033 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter,
Zo = 50
V
CE
= 2.7 V, I
C
= 20 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.50
-35
29.84
31.03
0.5
0.16
-52
19.58
9.53
0.9
0.08
-36
14.81
5.50
1.0
0.07
-31
13.96
4.99
1.5
0.06
12
10.71
3.43
1.8
0.07
31
9.31
2.92
2.0
0.08
40
8.50
2.66
2.4
0.11
48
7.16
2.28
3.0
0.15
53
5.62
1.91
4.0
0.21
52
3.86
1.56
5.0
0.26
48
2.61
1.35
S
12
Mag
0.014
0.054
0.093
0.104
0.153
0.183
0.203
0.242
0.299
0.393
0.482
S
22
Ang
137
94
81
78
66
60
56
48
37
20
6
dB
-37.08
-25.35
-20.63
-19.66
-16.31
-14.75
-13.85
-12.32
-10.49
-8.11
-6.34
Ang
77
77
75
74
69
66
63
59
52
41
29
Mag
0.79
0.53
0.50
0.50
0.49
0.48
0.47
0.46
0.43
0.39
0.33
Ang
-18
-20
-24
-25
-31
-35
-38
-44
-54
-71
-91
AT-32033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C
= 20 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
1.39
0.9
1.51
1.8
1.78
2.4
1.96
R
n
–
0.28
0.22
0.14
0.22
Mag
0.15
0.12
0.28
0.46
Ang
45
100
-135
-107
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
S21
MSG
MAG
MSG
Figure 22. AT-32033 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 2 .7 V, I
C
= 20 mA.
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PDF描述
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AT-32033-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT32063 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:???d???A??????NPN?g?????W?X?^ ?c?C???E?^?C?vSOT-363?p?b?P?[?W
AT-32063 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32063-BLK 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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