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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT-42010 |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, MICROSTRIP PACKAGE-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | AT-42010 |
3
AT-42010 Typical Performance, TA = 25°C
FREQUENCY (GHz)
Figure 4. Insertion Power Gain, Maximum Available
Gain and Maximum Stable Gain vs. Frequency.
VCE = 8 V, IC = 35 mA.
GAIN
(dB)
0.1
0.5
0.3
1.0
3.0 6.0
IC (mA)
Figure 2. Output Power and 1 dB Compressed Gain vs.
Collector Current and Frequency. VCE = 8 V.
24
20
16
12
8
4
G
1dB
(dB
)
P
1dB
(dBm
)
0
10
20
30
40
50
P1dB
G1dB
2.0 GHz
4.0 GHz
40
35
30
25
20
15
10
5
0
MSG
MAG
|S21E|2
IC (mA)
Figure 1. Insertion Power Gain vs. Collector Current
and Frequency. VCE = 8 V.
20
16
12
8
4
0
|S
21E
|2
GAIN
(dB)
0
10
20
30
40
50
1.0 GHz
2.0 GHz
4.0 GHz
IC (mA)
Figure 3. Output Power and 1 dB Compressed Gain vs.
Collector Current and Voltage. f = 2.0 GHz.
10 V
4 V
6 V
4 V
10 V
6 V
24
20
16
12
16
14
12
10
G
1dB
(dB)
P
1dB
(dBm
)
0
10
20
30
40
50
P1dB
G1dB
FREQUENCY (GHz)
Figure 5. Noise Figure and Associated Gain vs.
Frequency. VCE = 8 V, IC = 10mA.
GAIN
(dB)
24
21
18
15
12
9
6
3
0
4
3
2
1
0
NF
O
(dB)
0.5
2.0
1.0
3.0 4.0 5.0
GA
NFO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-901-C | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| AT-901-PT | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| AT-901-T | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| AT-902-C | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
| AT-902-PT | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT42035 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80MA I(C) | MICRO-X |
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| AT-42035-BLK | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | MICRO-X |
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| AT-42035-TR1 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | MICRO-X |
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