參數(shù)資料
型號(hào)： AT41435-3
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 0.100 INCH, PILL PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： AT41435-3
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
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CHARACTERISTICS T
C = 25
OC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
ICBO
VCB = 8.0 V
200
nA
IEBO
VEB = 1.0 V
1.0
A
hFE
VCE = 8.0 V
IC = 10 mA
30
100
300
---
CCB
VCB = 8.0 V
f = 1.0 MHz
0.18
pF
P1dB
VCE = 8.0 V
IC = 25 mA
f = 4.0 GHz
19.0
dBm
G1dB
VCE = 8.0 V
IC = 25 mA
f = 4.0 GHz
9.5
dB
MAG
VCE = 8.0 V
IC = 10 mA
f = 2.0 GHz
16
dB
GA
VCE = 8.0 V
IC = 10 mA
f = 1.0 GHz
f = 2.0 GHz
f = 4.0 GHz
13.0
19.0
14.0
10.0
dB
NFO
VCE = 8.0 V
IC = 10 mA
f = 1.0 GHz
f = 2.0 GHz
f = 4.0 GHz
1.3
1.6
3.0
1.9
dB
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTOR
AT41435-3
DESCRIPTION:
The
ASI AT41435-3 Is a low noise,
high gain, silicon bipolar transistor for
applications up to 6.0 GHz.
MAXIMUM RATINGS
IC
60 mA
VCEO
12 V
VCBO
20 V
VEBO
1.5 V
PDISS
500 mW @ TC = 25°C
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +200 °C
PACKAGE STYLE .100 4L PILL
1 = BASE
2 & 4 = EMITTER
3 = COLLECTOR
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PDF描述
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AT90-0106TR 0 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 6 dB INSERTION LOSS-MAX
AT90-0143 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 3 dB INSERTION LOSS-MAX
AT90-0233TR 0 MHz - 2500 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 3 dB INSERTION LOSS-MAX
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參數(shù)描述
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