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參數(shù)資料
| 型號： | AT89LP3240-20MU |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 68/200頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 8051 32K FLASH 20MHZ 7X7MLF |
| 標準包裝： | 360 |
| 系列： | 89LP |
| 核心處理器： | 8051 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 38 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大小： | 8K x 8 |
| RAM 容量： | 4.25K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-VFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 托盤 |
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16
3706C–MICRO–2/11
AT89LP3240/6440
Figure 3-5.
FDATA Byte Write
Figure 3-6.
FDATA Page Write
Frequently just a few bytes within a page must be updated while maintaining the state of the
other bytes. There are two options for handling this situation that allow the Flash Data memory
to emulate a traditional EEPROM memory. The simplest method is to copy the entire page into a
buffer allocated in RAM, modify the desired byte locations in the RAM buffer, and then load and
write back first the low half page (with auto-erase) and then the high half page to the Flash mem-
ory. This option requires that at least one page size of RAM is available as a temporary buffer.
The second option is to store only one half page in RAM. The unmodified bytes of the other page
are loaded directly into the Flash memory’s temporary load buffer before loading the updated
values of the modified bytes. For example, if just the low half page needs modification, the user
must first store the high half page to RAM, followed by reading and loading the unaffected bytes
of the low half page into the page buffer. Then the modified bytes of the low half page are stored
to the page buffer before starting the auto-erase sequence. The stored value of the high half
page must be written without auto-erase after the programming of the low half page completes.
This method reduces the amount of RAM required; however, more software overhead is needed
because the read-and-load-back routine must skip those bytes in the page that need to be
updated in order to prevent those locations in the buffer from being loaded with the previous
data, as this will block the new data from being loaded correctly.
A write sequence will not occur if the Brown-out Detector is active, even if the BOD reset has
been disabled. In cases where the BOD reset is disabled, the user should check the BOD status
by reading the WRTINH bit in MEMCON. If a write currently in progress is interrupted by the
BOD due to a low voltage condition, the ERR flag will be set. FDATA can always be read regard-
less of the BOD state.
For more details on using the Flash Data Memory, see the application note titled “AT89LP Flash
Data Memory”. FDATA may also be programmed by an external device programmer (See Sec-
MWEN
DMEN
t
WC
LDPG
IDLE
MOVX
t
WC
MWEN
DMEN
t
WC
LDPG
IDLE
MOVX
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