參數(shù)資料
| 型號： | ATMEGA164PA-MUR |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 79/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU AVR 16KB FLASH 20MHZ 44QFN |
| 產品培訓模塊： | MCU Product Line Introduction megaAVR Introduction |
| 標準包裝： | 4,000 |
| 系列： | AVR® ATmega |
| 核心處理器： | AVR |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 32 |
| 程序存儲器容量： | 16KB（8K x 16） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-VFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 配用： | ATSTK600-ND - DEV KIT FOR AVR/AVR32 |
| 其它名稱： | ATMEGA164PA-MUR SL383 ATMEGA164PA-MUR-ND ATMEGA164PA-MURTR |
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8272E–AVR–04/2013
ATmega164A/PA/324A/PA/644A/PA/1284/P
operations. The Programming times for the different modes are shown in Table 8-1 on page 25.
While EEPE is set, any write to EEPMn will be ignored. During reset, the EEPMn bits will be
reset to 0b00 unless the EEPROM is busy programming.
Bit 3 – EERIE: EEPROM Ready Interrupt Enable
Writing EERIE to one enables the EEPROM Ready Interrupt if the I bit in SREG is set. Writing
EERIE to zero disables the interrupt. The EEPROM Ready interrupt generates a constant inter-
rupt when EEPE is cleared.
Bit 2 – EEMPE: EEPROM Master Programming Enable
The EEMPE bit determines whether setting EEPE to one causes the EEPROM to be written.
When EEMPE is set, setting EEPE within four clock cycles will write data to the EEPROM at the
selected address If EEMPE is zero, setting EEPE will have no effect. When EEMPE has been
written to one by software, hardware clears the bit to zero after four clock cycles. See the
description of the EEPE bit for an EEPROM write procedure.
Bit 1 – EEPE: EEPROM Programming Enable
The EEPROM Write Enable Signal EEPE is the write strobe to the EEPROM. When address
and data are correctly set up, the EEPE bit must be written to one to write the value into the
EEPROM. The EEMPE bit must be written to one before a logical one is written to EEPE, other-
wise no EEPROM write takes place. The following procedure should be followed when writing
the EEPROM (the order of steps 3 and 4 is not essential):
1.
Wait until EEPE becomes zero.
2.
Wait until SPMEN in SPMCSR becomes zero.
3.
Write new EEPROM address to EEAR (optional).
4.
Write new EEPROM data to EEDR (optional).
5.
Write a logical one to the EEMPE bit while writing a zero to EEPE in EECR.
6.
Within four clock cycles after setting EEMPE, write a logical one to EEPE.
The EEPROM can not be programmed during a CPU write to the Flash memory. The software
must check that the Flash programming is completed before initiating a new EEPROM write.
Step 2 is only relevant if the software contains a Boot Loader allowing the CPU to program the
Flash. If the Flash is never being updated by the CPU, step 2 can be omitted. See ”Memory pro-
gramming” on page 298 for details about Boot programming.
Caution: An interrupt between step 5 and step 6 will make the write cycle fail, since the
EEPROM Master Write Enable will time-out. If an interrupt routine accessing the EEPROM is
interrupting another EEPROM access, the EEAR or EEDR Register will be modified, causing the
interrupted EEPROM access to fail. It is recommended to have the Global Interrupt Flag cleared
during all the steps to avoid these problems.
Table 8-1.
EEPROM Mode Bits.
EEPM1
EEPM0
Programming
time
Operation
0
3.4ms
Erase and Write in one operation (Atomic Operation)
0
1
1.8ms
Erase Only
1
0
1.8ms
Write Only
1
–
Reserved for future use
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| ATMEGA164P-B15MZ | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB FLASH AUTO 125Deg revision B RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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