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參數(shù)資料
| 型號： | ATP113 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HALOGEN FREE, ATPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 358K |
| 代理商： | ATP113 |
ATP113
No. A1755-3/4
IT15610
IT15609
010
20
60
50
40
30
0
--2
--4
--6
--1
--3
--5
--8
--7
--9
--10
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
--10
--0.1
IDP= --105A (PW≤10μs)
ID= --35A
100
μs
1ms
10ms
100ms
DC
operation
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25
°C
Single pulse
--1.0
23
5 7
23
5 7
23
5 7
--10
--100
10
μs
--100
VDS= --30V
ID= --35A
IT15604
0
--60
--50
--40
--10
--30
--20
1000
100
IT15608
IT15606
--1.3
--1.2
--1.0
--0.6
--0.2
--0.4
--0.8
--1.1
--0.9
--0.5
--0.3
--0.7
--0.001
--0.01
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
--0.1
--1.0
--10
--100
--0.1
--1.0
--10
57
23
5 7
23
--10
57
23
5
7
3
2
5
7
3
2
T
c=75
°C
25
°C
--25
°C
VGS=0V
Single pulse
Ciss
Crss
IT15607
10
100
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
td(off)
VDD= --30V
VGS= --10V
tr
IT15603
--2
--16
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--1
--15
--3
--5
--7
--9
--11
--13
10
20
30
70
60
50
40
20
30
70
60
50
40
tf
Coss
td(on)
Tc=25
°C
Single pulse
ID= --18A
--5A
--9A
IT15605
--0.1
--1.0
7
10
1.0
5
7
3
2
5
7
3
2
--10
23
5 7
23
5 7
23
5 7
Tc=
--25
°C
25
°C
75
°C
VDS= --10V
Single pulse
f=1MHz
--50
--25
150
0
25
50
75
100
125
Single pulse
0
10
V GS
= --4.5V
, I D
= --9A
V GS
= --4.0V
, I D
= --5A
VGS
= --10.0V
, ID
= --18A
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
| yfs | -- I
D
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Tc
SW Time -- ID
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
-
A
Forward
T
ransfer
Admittance,
|
y
fs
|
-
S
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IS -- VSD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP113TL | 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP212 | 35 A, 60 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP212 | 35 A, 60 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATR7039-PES | 2900 MHz - 5800 MHz RF/MICROWAVE FREQUENCY DOUBLER |
| ATR7039-PEQ | 2900 MHz - 5800 MHz RF/MICROWAVE FREQUENCY DOUBLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATP113_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP113-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ATP114 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP114_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP114-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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