參數(shù)資料
型號(hào)： ATP212
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 60 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： ATP212
ATP212
No. A1507-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.2
2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=18A
35
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=18A, VGS=10V
17
23
mΩ
RDS(on)2
ID=9A, VGS=4.5V
23
33
mΩ
RDS(on)3
ID=5A, VGS=4V
25
37
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
1820
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
150
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
100
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
16
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
110
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
125
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
87
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=10V, ID=35A
34.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=35A
6.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=35A
6.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=35A, VGS=0V
0.96
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=18A
RL=1.67Ω
VDD=30V
VOUT
ATP212
VIN
10V
0V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ATS177-PL-B MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, -10-10mT, 300-700mV, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT
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