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參數(shù)資料
| 型號： | ATTINY44-20MUR |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 135/238頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU AVR 4KB FLASH 20MHZ 20QFN |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | tinyAVR Introduction |
| 標準包裝： | 6,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心處理器： | AVR |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | USI |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 12 |
| 程序存儲器容量： | 4KB（2K x 16） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 20-WFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | ATTINY44-20MUR-ND ATTINY44-20MURTR |
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8006K–AVR–10/10
ATtiny24/44/84
old value and program the new value) or to split the Erase and Write operations in two different
operations. The Programming times for the different modes are shown in Table 5-1.
When EEPE is set any write to EEPMn will be ignored. During reset, the EEPMn bits will be
reset to 0b00 unless the EEPROM is busy programming.
Bit 3 – EERIE: EEPROM Ready Interrupt Enable
Writing EERIE to one enables the EEPROM Ready Interrupt if the I-bit in SREG is set. Writing
EERIE to zero disables the interrupt. The EEPROM Ready Interrupt generates a constant inter-
rupt when Non-volatile memory is ready for programming.
Bit 2 – EEMPE: EEPROM Master Program Enable
The EEMPE bit determines whether writing EEPE to one will have effect or not.
When EEMPE is set, setting EEPE within four clock cycles will program the EEPROM at the
selected address. If EEMPE is zero, setting EEPE will have no effect. When EEMPE has been
written to one by software, hardware clears the bit to zero after four clock cycles.
Bit 1 – EEPE: EEPROM Program Enable
The EEPROM Program Enable Signal EEPE is the programming enable signal to the EEPROM.
When EEPE is written, the EEPROM will be programmed according to the EEPMn bits setting.
The EEMPE bit must be written to one before a logical one is written to EEPE, otherwise no
EEPROM write takes place. When the write access time has elapsed, the EEPE bit is cleared
by hardware. When EEPE has been set, the CPU is halted for two cycles before the next
instruction is executed.
Bit 0 – EERE: EEPROM Read Enable
The EEPROM Read Enable Signal – EERE – is the read strobe to the EEPROM. When the cor-
rect address is set up in the EEAR Register, the EERE bit must be written to one to trigger the
EEPROM read. The EEPROM read access takes one instruction, and the requested data is
available immediately. When the EEPROM is read, the CPU is halted for four cycles before the
next instruction is executed. The user should poll the EEPE bit before starting the read opera-
tion. If a write operation is in progress, it is neither possible to read the EEPROM, nor to change
the EEAR Register.
Table 5-1.
EEPROM Programming Mode Bits and Programming Times
EEPM1
EEPM0
Programming Time
Operation
0
3.4 ms
Erase and Write in one operation (Atomic Operation)
0
1
1.8 ms
Erase Only
1
0
1.8 ms
Write Only
1
–
Reserved for future use
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參數(shù)描述 |
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| ATTINY44-20SSU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4kB Flash 0.256kB EEPROM 12 I/O Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| ATTINY44-20SSUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB FLSH 256B EESRAM 20MHz, IND TEMP, RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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