參數(shù)資料
型號： AUIRLS4030TRR
元件分類： JFETs
英文描述： 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： AUIRLS4030TRR
AUIRLS/SL4030
www.irf.com
3
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
1
2
3
4
5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 50V
≤60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
ID = 110A
VGS = 10V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
204060
80
100
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 80V
VDS= 50V
ID= 110A
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
BOTTOM
2.5V
≤60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.5V
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
2.5V
≤60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
BOTTOM
2.5V
相關PDF資料
PDF描述
AWSCR-FREQ-MGS-C15-T CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz
AWSCR-FREQ-MGD-C15 CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz
AWSCR-FREQ1MS-T CERAMIC RESONATOR, 8 MHz - 13 MHz
AWSCR-FREQ1MS CERAMIC RESONATOR, 8 MHz - 13 MHz
CLRC63201T Multiple protocol contactless reader IC (MIFARE-I-CODE1)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AUIRLS8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:50
AUIRLS8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800
AUIRLSL3036 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLU024N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Planar Technology Low On-Resistance Fully Avalanche Rated
AUIRLU024Z 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET 55V 7A 58MOHM - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A SOT 223 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive FET 55V 7A 58mOhm
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*