Worst-Case Commercial Conditions VCCA = 1.425" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AX2000-2FG1152I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 11/262頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA AXCELERATOR 2M 1152-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： Axcelerator
邏輯元件/單元數(shù)： 21504
RAM 位總計(jì)： 294912
輸入/輸出數(shù)： 684
門數(shù)： 2000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 1152-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 1152-FPBGA（35x35）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當(dāng)前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁
Detailed Specifications
2- 94
R e v i sio n 1 8
Table 2-93 Sixteen RAM Blocks Cascaded
Worst-Case Commercial Conditions VCCA = 1.425 V, VCCI = 3.0 V, TJ = 70°C
–2 Speed
–1 Speed
Std Speed
Parameter
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
Write Mode
tWDASU
Write Data Setup vs. WCLK
16.54
18.84
22.15
ns
tWDAHD
Write Data Hold vs. WCLK
0.00
ns
tWADSU
Write Address Setup vs. WCLK
16.54
18.84
22.15
ns
tWADHD
Write Address Hold vs. WCLK
0.00
ns
tWENSU
Write Enable Setup vs. WCLK
16.54
18.84
22.15
ns
tWENHD
Write Enable Hold vs. WCLK
0.00
ns
tWCKH
WCLK Minimum High Pulse Width
0.75
ns
tWCLK
WCLK Minimum Low Pulse Width
13.40
ns
tWCKP
WCLK Minimum Period
14.15
ns
Read Mode
tRADSU
Read Address Setup vs. RCLK
18.13
20.65
24.27
ns
tRADHD
Read Address Hold vs. RCLK
0.00
ns
tRENSU
Read Enable Setup vs. RCLK
18.13
20.65
24.27
ns
tRENHD
Read Enable Hold vs. RCLK
0.00
ns
tRCK2RD1
RCLK-To-OUT (Pipelined)
12.08
13.76
16.17
ns
tRCK2RD2
RCLK-To-OUT (Non-Pipelined)
12.83
14.62
17.18
ns
tRCLKH
RCLK Minimum High Pulse Width
0.73
ns
tRCLKL
RCLK Minimum Low Pulse Width
14.41
ns
tRCKP
RCLK Minimum Period
15.14
ns
Note:
Timing data for these sixteen cascaded RAM blocks uses a depth of 65,536. For all other combinations, use
Microsemi’s timing software.
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