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BSC020N03LSGATMA2

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
LV POWER MOS - Tape and Reel

BSC020N03LSGATMA2 技術(shù)參數(shù)

BSC020N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 15V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC020N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8290pF @ 15V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC019N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 85μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8800pF @ 20V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC019N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC019N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 350μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:85nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13000pF @ 10V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC026N02KS G BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N04LSATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 BSC027N03S G BSC027N04LSGATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G